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可控硅擊穿的原因主要有

所屬分類：行業資訊    發布時間： 2022-06-05    作者：襄陽拓邦電氣工程有限公司

 可控硅擊穿的原因主要有

 1、過壓擊穿：

    過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經常發生可控硅擊穿，請檢查一下吸收回路的各元件是否有燒壞或失效的。
    2、過流與過熱擊穿：其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在通過可控硅芯片時在芯片內部產生熱效應，使芯片溫度升高，當芯片溫度達到175℃時芯片就會失效且不能恢復。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過可控硅額定電流是不會發生這種熱擊穿的，因為過流擊穿原理是由于溫度升高所引起的，而溫度升高的過程是需要一定時間的，所以在短時間內過流（幾百毫秒到幾秒時間）一般是不會擊穿的。
    3、過熱擊穿：這里所說的過熱擊穿是指在工作電流并不超過可控硅額定電流的情況下而發生的熱擊穿，發生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅芯片溫度過高導致擊穿。
    如果屬于過流或過壓擊穿的話，主要看電機和可控硅的耐壓和抗沖擊電流的能力大小決定電機是否被燒毀。有的廠家軟啟本身應外部短路故障發生過流達到一定數值時可控硅會有優先擊穿保護電機功能。在電路設計時，軟啟動器進線處會設置熔斷器保護開關，可以有效保護因過流或過壓發生燒毀設備的故障。所以一般不會燒毀電機。